Neuer Speicher

Samsung: UFS Memory könnte MicroSD-Karten ablösen

Samsung will mit UFS Memory die Weichen für die nächste Smartphone-Generation stellen. Laut den Südkoreanern ist UFS Memory fast doppelt so schnell wie SSDs.

Samsung

Seoul – Wie Samsung mitteilt, hat das Unternehmen die Massenproduktion von 256-Gigabyte Embedded Memory auf Grundlage des Universal Flash Storage (UFS) Standards 2.0 gestartet. Nach Angaben der Südkoreaner soll UFS Memory in der nächsten Generation von Smartphones und Tablets eine tragende Rolle spielen.

Fast doppelt so schnell wie SSDs

UFS Memory basiert auf V-NAND Flash-Memory-Chips und einem speziell entwickeltem Controller und erreicht so bis zu 45.000 und 40.000 Ein/Ausgangs-Operationen pro Sekunde (IOPS). UFS Memory ist damit mehr als zweimal so schnell wie die bisherige UFS-Speichergeneration: Diese erreichten einen Wert von circa 19.000/14.000 IOPS.

Der 256-Gigabyte UFS Memory nutzt zum sequenziellen Lesen zwei Wege des Datentransfers und erreicht so Geschwindigkeiten von bis zu 850 MB/s – doppelt so schnell wie es bei derzeit handelsüblichen SSDs fürs PCs und Notebooks der Fall ist. Beim Schreiben erreicht der Speicher bis zu 260 MB/s und ist damit dreimal leistungsfähiger als hochklassige MicroSD-Karten.

Noch kompakter als MicroSD

Laut Samsung lassen sich so auch auf Mobilgeräten Videos in Ultra-HD-Auflösung (4K) ohne Ruckeln wiedergeben. In Kombination mit USB 3.0 soll sich beispielsweise ein 5 GB großer Film in Full HD innerhalb von 12 Sekunden auf zukünftige Geräte übertragen lassen.

Darüber hinaus sind UFS Speicherchips noch kompakter als die sowieso schon winzigen MicroSD-Karten. Das soll insbesondere Smartphone-Entwicklern neue Möglichkeiten eröffnen.

Marcel Petritz

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