Anlässlich des Samsung Mobile Solutions Forums hat der Hersteller am Donnerstag in Taiwan den Startschuss für die Produktion von PRAM-Speicher bekannt gegeben.
PRAM steht für "Phase-change random access memory" und bedeutet soviel wie nicht-flüchtiger Speicher.
PRAM schneller als Flash
Die neue Speicher-Technologie soll eine hohe Leistung bringen und gleichzeitig wenig Energie verbrauchen, da er den DRAM (Dynamic Random Access Memory) weniger stark beanspruche. Als potentielles Einsatzgebiet sieht der Hersteller mobile Geräte wie Smartphones, die bislang auf Flash-Speicher setzen.
Samsung stellt den Speicher mit 512 Megabyte im 60-Nanometer-Verfahren her. Dieser soll 64 Kilowords innerhalb von 80 Millisekunden löschen können und somit Flash-Speicher des Typs NOR um das zehnfache überrunden. Bei Fünf-Megabyte-Paketen soll er siebenmal schneller sein.
Mehr Ausdauer für Smartphones
Mit dem neuen PRAM sollen die
Handys um bis zu 20 Prozent längere Akkulaufzeiten erreichen - angesichts der diversen Multimedia-Funktionen und großen Displays moderner Smartphones ein durchaus wünschenswerter Nebeneffekt. Mit diesen Eigenschaften soll sich der neue Speicher am Markt durchsetzen. "Wir glauben, dass PRAM in Zukunft eines der Haupt-Speicherprodukte sein wird", zeigt sich Sei-Jin Kim aus der Speicher-Abteilung bei Samsung Electronics überzeugt.
Saskia Brintrup
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