Die Forscher aus dem Hause Infineon basteln munter weiter an Innovationen. Der neueste Clou: Die derzeit kleinste, nichtflüchtige Flash-Speicherzelle. Mit nur 20 Nanometern ist der Winzling, der als Labormuster vorgestellt wurde, rund 5.000 mal dünner als ein Haar. Bislang galt die Herstellung von derart kleinen funktionsfähigen Speicherzellen als sehr fraglich.
Speicherchips mit 32 Gbit?
Das Besondere an dem neuartigen Bauelement ist seine dreidimensionale
Struktur mit einer Finne. Sollten alle fertigungstechnischen
Herausforderungen - wie etwa die der Lithographie - für die
Massenproduktion gemeistert werden können, wären hiermit in wenigen
Jahren nichtflüchtige Speicherchips mit einer Kapazität von 32 Gbit
denkbar. Das ist das Achtfache von dem, was heute auf gleicher Fläche
hergestellt und verkauft wird.
Nichtflüchtige Speicher werden für die immer beliebteren Anwendungen wie Digitalkameras, Camcorder oder USB-Sticks als flexible und robuste Massenspeicher benötigt. Heutige nichtflüchtige Speichertechnologien basieren auf Silizium und können ein oder zwei Bit pro Speicherzelle ohne Versorgungsspannung dauerhaft speichern. Die Strukturbreite aktueller Vertreter dieser Art liegt bei 90 Nanometern und die weitere Verkleinerung der heute üblichen Speicherverfahren insbesondere unter 50 Nanometern ist mit erheblichen Schwierigkeiten verbunden.
Die modernsten Speicher, die derzeit erhältlich sind, brauchen rund 1.000 Elektronen, um sich ein Bit sicher für mehrere Jahre merken zu können. Der jetzt von Infineon vorgestellte Speicher begnügt sich mit 100 Elektronen, ein zweites Bit legt er mit weiteren 100 Elektronen im gleichen Transistor ab.
Hayo Lücke
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